安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其第一代根据1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。
与运用第7代场截止（FS7）IGBT技能比较，安森美EliteSiCSPM 31 IPM在超紧凑的封装尺度中供给超高的能效和功率密度，以此来完成比市场上其他抢先解决方案更低的全体体系本钱。这些IPM改进了热功能、下降了功耗，支撑快速开关速度，十分适用于三相变频驱动运用，如AI数据中心、热泵、商用暖通空调（HVAC）体系、伺服电机、机器人、变频驱动器（VFD）以及工业泵和风机等运用中的电子换向（EC）风机。
EliteSiCSPM 31 IPM 与安森美IGBT SPM 31 IPM 产品组合（包含15A至35A的低电流）构成互补，供给从40A到70A的多种额外电流。安森美现在以紧凑的封装供给业界抢先的广泛可扩展、灵敏的集成功率模块解决方案。
跟着电气化和AI运用的添加，尤其是更多AI数据中心的建造添加了能源需求，下降该范畴运用的能耗变得益发重要。在这个向低碳排放国际转型的过程中，可以高效转化电能的功率半导体发挥着关键作用。
跟着数据中心的数量和规划一向添加，估计对EC风机的需求也将随之添加。这些冷却风机可为数据中心的一切设备保持抱负的运转环境，关于精确、无误的数据传送至关重要。SiC IPM可保证EC风机以更高能效牢靠运转。
与压缩机驱动和泵等许多其他工业运用相同，EC风机需要比现有较大的IGBT解决方案具有更高的功率密度和能效。经过改用EliteSiCSPM 31 IPM，客户将获益于更小的尺度、更高的功能以及因高度集成而简化的规划，然后缩短开发时刻，下降全体体系本钱，并削减温室气体排放。例如，与运用当时IGBT功率集成模块(PIM)的体系解决方案比较，在70%负载时的功率损耗为500W，而选用高效的EliteSiC SPM 31 IPM 可使每个EC风机的年能耗和本钱下降52%。
全集成的EliteSiC SPM 31 IPM 包含一个独立的上桥栅极驱动器、低压集成电路(LVIC)、六个EliteSiC MOSFET 和一个温度传感器（电压温度传感器(VTS)或热敏电阻）。该模块根据业界抢先的 M3 SiC 技能，缩小了裸片尺度，并运用SPM 31封装进步短路耐受时刻(SCWT)，然后针对硬开关运用进行了优化，适用于工业用变频电机驱动。MOSFET选用三相桥式结构，下桥臂选用独立源极衔接，充沛进步了挑选操控算法的灵敏性。
▷低损耗、额外抗短路才能的 M3 EliteSiC MOSFET，可防止设备和元件产生灾难性毛病，如电击或火灾。
▷作为 FS7 IGBT SPM 31 的对等产品，客户能在运用相同 PCB 板的一起选不相同的额外电流。
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